大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法

摘要

一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底；步骤2：在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤3：在InP盖层上外延Zn扩散缓冲层；步骤4：在Zn扩散缓冲层上外延Zn掺杂InP上包层、梯度层及InGaAs接触层，完成制备。本发明可以实现量子阱激光器波长大范围的调谐。

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体地涉及通过分子束外延(MBE)或 者金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长大失配In(Ga)As/InP量子阱材 料，通过引入Zn扩散缓冲层及精确调控激光器包层的Zn掺杂浓度，实现 波长大范围可调谐激光器外延芯片的制作方法。

背景技术

自上世纪六十年代初半导体激光器问世以来，因其具有波长覆盖范围 广、结构紧凑、可靠性高和易于集成性等性能优势，已在人们的日常生活， 工、农业生产以及国防军事等领域得到广泛的应用。随着新兴应用领域的 不断拓展，人们对半导体激光器的性能也提出了新的更高的要求。低成本、 可调谐激光器成为人们研究的热点。InP基In(Ga)As量子阱由于其波长覆 盖1.6微米至3.0微米这一超宽范围而在气体探测，生物医疗，超长距离 通信等多方面具有重要应用。同时，由于具有高质量，低成本的衬底材料， InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工艺，且易与其它器件实 现集成等优势相比于其他体系(如GaSb基激光器材料体系)而具有更大 的竞争力和应用前景。但目前，由于In(Ga)As/InP材料具有较大的晶格失 配，高质量的量子阱材料制备较困难，特别是发光波长大于2微米的激光 器中，量子阱层中In(Ga)As材料为In组分几乎是100％的InAs。其与衬 底的晶格失配达到3.2％。这在外延制备过程中容易引入缺陷，如何保证高 质量的材料质量成为制备高性能激光器的关键。另一方面，在实际应用中， 通常需要对激光波长进行调谐以满足实际应用的需要，激光器的可调谐性 也成为一项重要的指标。目前，人们主要通过量子阱层材料的组分以及材 料厚度来进行激光波长的选择。而对于纯InAs材料的量子阱只能通过阱 层的厚度来进行激光波长的调节，为了得到2微米波长的InAs/InP量子阱 材料，InAs阱层的厚度需低于2nm，过薄的量子阱具有较大的量子尺寸效 应，量子阱带底能级距势垒的高度较低，载流子容易逃逸出势阱，造成激 光器不能稳定工作。本发明提供一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延 芯片的制作方法，通过固定量子阱的生长条件和参数，在量子阱有源层上 方引入Zn扩散缓冲层，结合对包层InP材料中的Zn掺杂浓度进行精确调 控，有效引导、控制Zn杂质向有源区的扩散，实现量子阱有源区波长宽 达275nm范围的调谐。由于这些激光芯片具有相同的有源层生长参数和 条件，一次有源区外延生长可实现多波长激光器的制作，此方法的实施也 将极大降低激光器芯片外延的整体成本。

发明内容

本发明提供一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方 法，具体通过在量子阱有源区上方引入Zn扩散缓冲层，结合对包层InP 材料中的Zn掺杂浓度进行精确调控，实现量子阱激光器波长大范围的调 谐。

本发明提供一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方 法，包括如下步骤：

步骤1：选择一InP衬底；

步骤2：在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量 子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；

步骤3：在InP盖层上外延Zn扩散缓冲层；

步骤4：在Zn扩散缓冲层上外延Zn掺杂InP上包层、梯度层及InGaAs 接触层，完成制备。

本发明的有益效果是，其是通过在量子阱有源区上方引入Zn扩散缓 冲层，结合对包层InP材料中的Zn掺杂浓度进行精确调控，实现量子阱 激光器波长大范围的调谐。

附图说明

为了进一步说明本发明的具体技术内容，以下结合实施例及附图详细 说明如后，其中：

图1为本发明的制作流程图；

图2为本发明的结构示意图；

图3为不同缓冲层厚度及包层掺杂浓度下激光器的室温光致荧光谱。

图4是不同缓冲层厚度及包层掺杂浓度下激光器的激射谱。

具体实施方式

请参阅图1、图2所示，本发明一种大晶格失配可调谐量子阱激光器 外延芯片的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：选择一InP衬底1，其中InP衬底1为InP单晶片，晶向为(001)， 偏角在±0.5°以内，厚度为325-375μm，掺杂浓度为(2-6)×10¹⁸cm^-3；

步骤2：在该衬底1上依次沉积InP缓冲层2、下波导层3、下限制层 4、量子阱层5、上限制层6、上波导层7和InP盖层8；InP缓冲层2厚度 为500nm，生长温度介于600至660℃之间，掺杂浓度介于1×10¹⁷至 2×10¹⁸cm^-3之间，生长速度约0.4-0.6nm/s，过快的生长速度不利于高质量 缓冲层的形成；其中下波导层3和上波导层7的材料为InGaAsP材料，该 下波导层3和上波导层7的厚度为50-500nm，生长温度介于450-650℃ 之间，室温光致荧光波长介于1000-1700nm之间；其中下限制层4和上限 制层6的材料为In(Al)GaAs，厚度介于0-100nm之间，生长温度介于 450-650℃之间，Al组分根据拟设计的势垒高度进行调节，一般介于0至 80％之间，Al组分的引入可以有效提高量子阱层的载流子限制作用，有利 于提高激光器输出特性的温度稳定性，但由于含Al材料容易氧化，特别 是在较低的生长温度下，过高的Al组分会降低材料的晶体质量；其中量 子阱层5为交替生长的势垒层和阱层，其层数为1-10，其材料为In_xGa_1-xAs， 其中In组分介于55％至100％，其生长温度介于450℃至650℃之间，该 量子阱层5的层数为1-10，本实施例中采用InAs材料，厚度为5nm，生 长速度为0.1nm/s；InP盖层8的生长温度与上波导层7相同，生长厚度为 5-10nm，此层材料的主要目的是在接下来的变温过程中保护波导层材料表 面形貌。

步骤3：在InP盖层8上外延Zn扩散缓冲层9；本实施例中，Zn扩 散缓冲层9为InP材料，厚度介于0-300nm之间，生长温度介于600至650℃ 之间。扩散缓冲层9的厚度需根据上包层的掺杂浓度来确定，在后续的上 包层10中Zn掺杂浓度越高，Zn原子越容易向有源区扩散；由于有源区 量子阱层5的发光波长与Zn扩入量直接相关，因此扩散缓冲层9的厚度 直接影响此制作方法的实施效果。

步骤4：在Zn扩散缓冲层9上外延Zn掺杂InP上包层10、梯度层11、 及InGaAs接触层12；InP上包层10厚度介于500-1500nm之间，生长温 度为600℃，其掺杂浓度需精确控制，浓度介于5E16至5E18cm^-3之间； 由于掺杂浓度直接影响激光器激射过程中P掺杂区空穴向有缘区内的注 入，较高的掺杂浓度有利于提高空穴的注入效率并降低串联电阻，因此， 我们采用梯度掺杂结构，掺杂浓度由1E17至2E18cm^-3逐步升高。梯度层 11为InAlGaAs材料或者InGaAsP材料，厚度介于0至100nm之间，其 掺杂浓度为5E18cm^-3；InGaAs接触层12的掺杂浓度大于5E18cm^-3，生 长温度低于650℃，本实施例中，我们采用的掺杂浓度为1.5E19cm^-3，生 长温度为600℃，过高的生长温度会导致Zn向外扩散逃逸，从而降低接触 层的掺杂浓度，增大接触电阻。

参阅图3、图4所示，图3为具有相同量子阱层5生长结构和参数条 件下，通过固定Zn扩散缓冲层9的厚度为140nm，不同InP上包层10掺 杂浓度下激光器有源层的室温光致荧光谱。其中，样品1为参考样品，其 InP上包层10未掺杂。样品2、样品3、样品4的InP上包层10掺杂浓度 随InP厚度增加逐渐增大，其增大梯度分别为1E17cm^-3至6E17cm^-3、2E17 cm^-3至1E18cm^-3、1E18cm^-3至2E18cm^-3逐步提高。由图可知，随着包层 掺杂浓度的逐渐提升，激光器有源区发光峰值波长由参考样品1的2385nm 逐渐蓝移至样品4对应的2110nm。其波长调谐范围宽达275nm。图4给 出了具有相同量子阱层5生长结构和参数条件下，通过固定Zn扩散缓冲 层9的厚度为140nm，不同InP上包层10掺杂浓度下激光器的室温激射 谱。由图可知，通过选取合适的Zn扩散缓冲层厚度及包层Zn掺杂浓度， 我们成功制备了波长覆盖2155nm至2300nm的室温工作的激光器。

以上所述外延材料生长设备为MOCVD，外延生长过程中使用的源分 别是三甲基铟(TMIn)，三乙基镓(TEGa)，砷烷(AsH₃)，磷烷(PH₃)， 硅烷(SiH₄)，二乙基锌(DEZn)。

以上所述，仅为本发明中的具体实施方式，但本发明的保护范围并不 局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想 到的变换或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保 护范围应该以权利要求书的保护范围为准。