大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法

摘要

一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底；步骤2：在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤3：在InP盖层上外延Zn扩散缓冲层；步骤4：在Zn扩散缓冲层上外延Zn掺杂InP上包层、梯度层及InGaAs接触层，完成制备。本发明可以实现量子阱激光器波长大范围的调谐。