公开/公告号CN104505402A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-04-08
原文格式PDF
申请/专利权人 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201510004119.0
申请日2015-01-06
分类号H01L29/778;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/20;
代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;
代理人尹振启
地址 101111 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院
入库时间 2023-12-18 08:20:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-02
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/778 申请公布日:20150408 申请日:20150106
发明专利申请公布后的驳回
2015-05-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20150106
实质审查的生效
2015-04-08
公开
公开
机译: 形成氮化铟镓包括在腔室内提供氮化镓层,以及在氮化镓层的表面上外延生长氮化铟镓层。
机译: 具有氮化铟镓层的半导体装置,该氮化镓层能够消除无残留的稀薄的氮化铟镓种子层
机译: 用于氮化镓基器件的氮化铟镓基欧姆接触层