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目录
第一章 绪论
1.1 GaN基HEMT器件简介
1.2 GaN基HEMT器件可靠性概述
1.3本论文的研究内容和安排
第二章 GaN基HEMT逆压电极化效应模型
2.1 GaN材料极化特性
2.2逆压电极化效应的理论模型
2.3逆压电极化效应的物理模型
2.4本章小结
第三章 GaN基HEMT器件逆压电效应测试
3.1 GaN基HEMT器件制备
3.2逆压电效应临界电压测试
3.3陷阱位置的确定
3.4本章小结
第四章 逆压电效应引起器件退化的物理机制
4.1逆压电效应对器件特性的影响
4.2逆压电效应对栅下材料形貌的影响
4.3临界电压与偏置条件的关系
4.4物理机制分析
4.5本章小结
第五章 SiN钝化对器件逆压电效应的影响
5.1 SiN钝化对器件退化模式的影响
5.2 SiN钝化对器件瞬态特性的影响
5.3器件退化机理分析
5.4本章小结
第六章 正向栅压应力对器件特性的影响
6.1正向栅压应力下器件的退化
6.2器件栅下陷阱特性分析
6.3器件栅下材料组分分析
6.4本章小结
第七章 GaN基HEMT器件机械应力测试
7.1测试夹具的发明
7.2 GaN基HEMT器件机械应力测试
7.3物理机制分析
7.4本章小结
第八章 总结与展望
8.1本论文总结
8.2未来工作展望
参考文献
致谢
作者简介
西安电子科技大学;