具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法

摘要

一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂氮化铝空间层，该非有意掺杂氮化铝空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在非有意掺杂氮化铝空间层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面。本发明可以增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率，同时器件的栅电流得到降低。