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标记晶圆的方法、具有标记的晶圆

摘要

一种标记晶圆的方法、具有标记的晶圆,标记晶圆的方法包括:提供绝缘体上硅,绝缘体上硅包括第一半导体层、位于第一半导体层上的介质层、位于介质层上的第二半导体层;图形化第二半导体层和介质层,利用光刻和蚀刻在第二半导体层和介质层形成开口,开口定义出需要形成激光标签的区域且开口暴露出部分第一半导体层;利用激光轰击开口区域,在开口暴露出的第一半导体层的表面区域形成标记。本技术方案形成的标记清楚,方便识别,减少缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN102610494A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210085163.5

  • 发明设计人 李乐;

    申请日2012-03-27

  • 分类号H01L21/02;H01L23/544;B23K26/00;

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-12-18 06:11:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20120725 申请日:20120327

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20120327

    实质审查的生效

  • 2014-04-16

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20140327 申请日:20120327

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-07-25

    公开

    公开

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