动态控制微晶硅生长期间的温度的方法

摘要

本发明大体包括一种在微晶硅沉积期间用以动态控制太阳能电池基板的温度的方法。在非晶硅/微晶硅串接太阳能电池中，微晶硅可以使用比非晶硅更高的功率密度来沉积，并且被沉积到比非晶硅更厚的厚度。所施加的功率密度越高，沉积速度越快，但沉积温度可能也会增加。在高温时，掺杂质扩散进入太阳能电池的本征层且破坏太阳能电池的可能性更大。通过动态控制载座的温度，基板以及因此掺杂质都可以被维持在掺杂质会扩散进入本征层的温度以下的实质恒定温度。动态温度控制允许微晶硅能以高功率密度来沉积而不会破坏太阳能电池。