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一种在太阳能电池衬底表面生长微晶硅的方法及装置

摘要

本发明公开了一种在太阳能电池衬底表面生长微晶硅的方法及装置。该方法包括以下步骤:S1:将太阳能电池衬底置入一个密闭腔体内,在所述密闭腔体上设置有透明窗口;S2:使所述密闭腔体成为真空环境;S3:向所述密闭腔体内通入硅烷;S4:利用位于所述密闭腔体外的激光器透过所述透明窗口对所述太阳能电池衬底照射激光,以使得硅烷分解而生成微晶硅。根据该方法,利用激光对太阳能电池衬底表面某个选定目标区域进行照射,在被照射的区域中,因为温度高所以硅烷被分解,因而生成微晶硅,在未被照射的区域中,因为温度低所以基本不生成微晶硅,结果是可生成局部微晶硅。

著录项

  • 公开/公告号CN109638106B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;

    申请/专利号CN201811330322.7

  • 发明设计人 段光亮;蒋秀林;卢林;

    申请日2018-11-09

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L21/02(20060101);C23C16/04(20060101);C23C16/24(20060101);C23C16/48(20060101);C30B29/06(20060101);C30B30/00(20060101);

  • 代理机构44104 广州知友专利商标代理有限公司;

  • 代理人李海波

  • 地址 225131 江苏省扬州市扬州经济开发区建华路1号

  • 入库时间 2022-08-23 12:08:43

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