公开/公告号CN109638106B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;
申请/专利号CN201811330322.7
申请日2018-11-09
分类号H01L31/18(20060101);H01L21/02(20060101);C23C16/04(20060101);C23C16/24(20060101);C23C16/48(20060101);C30B29/06(20060101);C30B30/00(20060101);
代理机构44104 广州知友专利商标代理有限公司;
代理人李海波
地址 225131 江苏省扬州市扬州经济开发区建华路1号
入库时间 2022-08-23 12:08:43
机译: 通过表面处理生产太阳能电池,以在异质衬底上加速微晶硅的成核
机译: 太阳能电池包括一种导电类型的半导体衬底,布置在衬底的表面侧上的相对导电性的层,表面电极以及形成在衬底的后侧上的后电极。
机译: 表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法