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刘国涛; 徐茵; 顾彪; 秦福文; 周智猛;
大连理工大学电气工程与应用电子技术系;
GaAs; 氮化; 外延生长; GaN薄膜; 反射高能电子衍射;
机译:GaAs(100)衬底氮化后生长的GaN_xO_y薄膜的结构和性能
机译:使用热线CVD在氮化GaAs衬底上生长GaN膜
机译:在3c-SiC / Si衬底上GaN膜的MOVPE生长-氮化处理对衬底表面的影响-
机译:通过OMVPE在氮化的GaAs / Si和GaAs / SIMOX复合衬底上生长GaN层
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:在Si衬底上外延生长高质量GaN膜的新方法:MBE和PLD的结合
机译:NH3流中Gaas(III)B表面的氮化行为及氮化Gaas(III)B作为InN mOCVD生长衬底的评价
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:晶体的外延生长六方氮化镓,在具有普通原子类型的衬底上使用较轻的具有粗糙或多孔表面的衬底,并且在生长过程中会发生热分解以释放出普通原子
机译:在GaAs衬底上生长GaN层的方法
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