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王三胜; 顾彪; 徐茵; 秦福文; 隋郁; 杨大智;
大连理工大学电气工程与应用电子技术系;
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116024;
ECR-PEMOCVD; 氮化; 缓冲层; 立方GaN; 氢等离子体;
机译:使用AlN / GaN有序混合晶体层在GaAs(100)衬底上MBE生长立方GaN薄膜-一种提高立方GaN薄膜质量的新尝试
机译:射频等离子体辅助气体源MBE在(0 0 1)GaAs衬底上生长的立方GaN
机译:(001)GaAs衬底在射频等离子体辅助分子束外延对立方GaN的影响(001)GaAs衬底对氢气的影响
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:化学计量学对等离子体辅助mBE生长在Gaas上立方GaN中缺陷分布的影响
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:在RF等离子体工艺中使用NH.sub.3在GaAs上合成立方GaN的工艺
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