Gallium Nitrides; Gallium Arsenides; Layers; Molecular Beam Epitaxy; Stacking Faults; Voids;
机译:在邻近(001)GaAs衬底上生长的GaN的结构和光学性质与等离子体辅助MBE生长条件的相关性
机译:等离子体辅助MBE生长的AlN / Si(110)衬底上氨MBE生长的GaN层的光学和晶体性质
机译:MBE用AlN / GaN有序合金在GaAs(100)上生长立方GaN膜-高质量立方GaN的新方法
机译:通过等离子体辅助分子束外延生长在GaAs(100)上生长的藻类缓冲层的立方GaN薄膜生长研究
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:等离子体辅助MBE在LiGaO2上生长非极性GaN的微观结构
机译:等离子辅助MBE在2至25 GHz下运行的高功率GaN / AlGaN / GaN HEMT