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【2h】

High Power GaN/AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted MBE Operating at 2 to 25 GHz

机译：等离子辅助MBE在2至25 GHz下运行的高功率GaN / AlGaN / GaN HEMT

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作者
Waechtler Thomas; Manfra Michael J; Weimann Nils G; Mitrofanov Oleg;
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作者单位

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年度 2005
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1. Unpassivated AlGaN/GaN HEMTs with CW power density of 3.2 W/mm at 25 GHz grown by plasma-assisted MBE [J] . Manfra M., Weimann N., Baeyens Y., Electronics Letters . 2003,第8期

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2. Power Performance of AlGaN-GaN HEMTs Grown on SiC by Plasma-Assisted MBE [J] . Siddharth Rajan, Patrick Waltereit, Christiane Poblenz, IEEE Electron Device Letters . 2004,第5期

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3. Influence of Substrate on Crystallographic Quality of AlGaN/GaN HEMT Structures Grown by Plasma-Assisted MBE [J] . A. Wierzbicka, Z.R. Zytkiewicz, M. Sobanska, Acta Physica Polonica . 2012,第4期

机译：衬底对等离子辅助MBE生长的AlGaN / GaN HEMT结构的晶体学质量的影响
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5. Investigation of normally-off mode AlGaN/GaN MOS HEMT device utilizing gate recession and p-GaN gate structure with ald grown high k gate insulators for high power application. [D] . Ma, Jin Seock. 2016

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