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用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构

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一种用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构。所述结构包含非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，所述激光二极管包括波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制；以及一个或多个n型掺杂的含铝层，其可用于帮助沿特定晶面的刻面劈裂。

著录项

公开/公告号CN102473799A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-23

原文格式PDF
申请/专利权人加利福尼亚大学董事会;
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申请/专利号CN201080031095.3
发明设计人罗伯特·M·法雷尔;马修·T·哈迪;太田裕朗;斯蒂芬·P·登巴尔斯;詹姆斯·S·斯佩克;中村修二;
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申请日2010-07-09
分类号H01L33/02;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人章蕾
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 05:25:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-02-04

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/02 申请公布日:20120523 申请日:20100709

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-08-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/02 申请日:20100709

实质审查的生效
2012-05-23

公开

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