首页> 中国专利> 绝缘体上的半导体和使用阳极连接工艺中的温度梯度来形成该半导体的方法

绝缘体上的半导体和使用阳极连接工艺中的温度梯度来形成该半导体的方法

摘要

形成玻璃上半导体结构(SOG)的方法和装置包括:使玻璃基底的第一表面与半导体晶片直接或间接地接触;加热玻璃基底和半导体晶片中的至少一个,使得玻璃基底的与玻璃基底第一表面相对的第二表面处于比第一表面低的温度;横贯玻璃基底和半导体晶片施加电势;以及保持接触、加热和电压,以通过电解在半导体晶片和玻璃基底之间引起阳极连接。

著录项

  • 公开/公告号CN102484094A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 康宁股份有限公司;

    申请/专利号CN201080038595.X

  • 发明设计人 J·G·库亚德;

    申请日2010-08-24

  • 分类号H01L21/762;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人丁晓峰

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2023-12-18 05:17:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/762 申请公布日:20120530 申请日:20100824

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-10-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20100824

    实质审查的生效

  • 2012-05-30

    公开

    公开

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