...
机译:通过横向液相外延形成的绝缘体上的Ge绝缘体结构上的高迁移率p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan;
机译:通过横向液相外延形成的绝缘体上的Ge绝缘体结构上的高迁移率p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:侧向液相外延制备带Ge条纹的绝缘体上Ge型金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移特性
机译:侧向液相外延制备带Ge条纹的绝缘体上Ge型金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移特性
机译:横向液相外延法制备高质量的绝缘体上的锗结构
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:通过UV照射的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管特性的变形
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)