一种单一厚度栅氧化层实现多级工作电压的CMOS器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种单一厚度栅氧化层实现多级工作电压的CMOS器件通过向CMOS晶体管的金属氧化物介电材料层中注入拥有不同功函数的离子，进行CMOS晶体管栅极功函数调节，从而实现在单一介质层厚度条件下形成不同的平带电压，并实现单一介质层厚度下多级工作电压的CMOS结构，本发明制作过程简单、易行，制备成本低，适合工业化生产。