带有多晶牺牲衬垫层的浅沟槽隔离结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种带有多晶牺牲衬垫层的浅沟槽隔离结构的制备方法，其中，包括如下步骤：步骤a、形成一个初始复合结构，所述初始复合结构包括半导体衬底，覆盖于所述半导体衬底上的氧化膜，覆盖于所述氧化膜上的一层氮化硅衬垫以及于上述结构上形成的图案化沟槽；步骤b、与所述沟槽内壁及底部覆盖一层氧化层，所述氧化层以及所述初始复合结构组成第一复合结构。本发明的有益效果是，通过引入多晶半导体牺牲衬垫层降低了有源区的硅消耗，使后续制程中关键尺寸处于可控状态，同时通过干法退火使高深宽比工艺填充薄膜收缩产生硅拉伸应变以增强载流子的移动性，提高器件的性能。