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金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法

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本发明涉及一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法，属于集成电路制造技术领域。在金属栅层/高K栅介质层叠层结构刻蚀后，采用含有氢氟酸的混合溶液进行清洗，不仅可以完全去除栅叠层结构上留下的含有金属的聚合物残余，而且对于高K材料在干法刻蚀过程中部分去除的刻蚀策略，可以在清洗的过程中完全去除高K材料，从而更有利于满足纳米级CMOS器件在形成栅极图形时对Si衬底损失的要求。另外，因该溶液对场区SiO

著录项

公开/公告号CN102403198A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-04-04

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN201010284183.6
发明设计人李永亮;徐秋霞;
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申请日2010-09-15
分类号H01L21/02;H01L21/28;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人倪斌
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 04:55:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-24

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20120404 申请日:20100915

发明专利申请公布后的驳回
2012-06-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20100915

实质审查的生效
2012-04-04

公开

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1. 金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法 [P] . 中国专利： CN102403198A . 2012-04-04
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