机译:串联电阻对具有超薄EOT高k /金属栅叠层的MOSCAP的零时电介质击穿特性的影响
机译:结合多沉积多退火技术和清除(Ti)来改善后栅极工艺的高k /金属栅叠层性能
机译:宽带隙高k Y_2O_3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:高k电介质和金属闸门中的Ti / TiN清除堆的高k /金属栅极模拟叠层的电性能和界面结构
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:使用Ti / TiN覆盖层插入金属/高k门堆叠的远程清除技术