具有在退火的高－k栅介电层上形成的金属栅电极的半导体器件

摘要

一种形成具有退火的栅介电层的晶体管栅堆叠的方法，其通过提供包括由沟槽而被分离的第一和第二间隔物的衬底而开始。在所述衬底上以及所述沟槽之内沉积共形的高-k栅介电层，并且其中所述高-k栅介电层的厚度大于或等于3埃并且小于或等于60埃。接着，在所述高-k栅介电层上沉积盖层，其中所述盖层基本上填充所述沟槽并且基本上覆盖所述高-k栅介电层。然后在大于或等于600℃的温度下退火所述高-k栅介电层。除去所述盖层以暴露所述退火的高-k栅介电层。然后在所述退火的高-k栅介电层上沉积金属层。可以使用CMP工艺除去多余的材料并完成所述晶体管栅堆叠的形成。