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【2h】

Remote Scavenging Technology using Ti/TiN Capping Layer Interposed in a Metal/High-k Gate Stack

机译：使用Ti / TiN覆盖层插入金属/高k门堆叠的远程清除技术

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1. Remote scavenging technology using a Ti/TiN capping layer interposed in a metal/high-k gate stack [J] . Ma Xueli, Han Kai, Wang Wenwu Journal of Semiconductors . 2013,第7期

机译：使用在金属/高k栅极堆叠中插入的Ti / TiN覆盖层的远程清除技术
2. Scaling equivalent oxide thickness with flat band voltage (V_(FB)) modulation using in situ Ti and Hf interposed in a metal/high-k gate stack [J] . Changhwan Choi, Jack C. Lee Journal of Applied Physics . 2010,第6期

机译：使用在金属/高k栅堆叠中插入的原位Ti和Hf，通过平带电压（V_（FB））调制缩放等效氧化物厚度
3. Combining a multi deposition multi annealing technique with a scavenging (Ti) to improve the high-k/metal gate stack performance for a gate-last process [J] . Zhang ShuXiang, Yang Hong, Tang Bo, Journal of Semiconductors . 2014,第10期

机译：结合多沉积多退火技术和清除（Ti）来改善后栅极工艺的高k /金属栅叠层性能
4. Remote scavenging technology using Ti/TiN capping layer interposed in a metal/high-k gate stack [C] . Xueli Ma, Xiaolei Wang, Kai Han, Dielectric materials and metals for nanoelectronics and photonics 10 . 2012

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5. Metal-gate/high-k dielectric stack engineering by atomic layer deposition: Materials issues and electrical properties. [D] . Sreenivasan, Raghavasimhan. 2007

机译：通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程：材料问题和电性能。
6. Effects of Gate Stack Structural and Process Defectivity on High-k Dielectric Dependence of NBTI Reliability in 32 nm Technology Node PMOSFETs [O] . H. Hussin, N. Soin, M. F. Bukhori, -1

机译：栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
7. Extremely Scaled Equivalent Oxide Thickness of High-k (k=40) HfO2 Gate Stacks Prepared by Atomic Layer Deposition and Ti Cap Anneal [O] . Yukinori MORITA, Shinji MIGITA, Wataru MIZUBAYASHI, 2012

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