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刘京; 茹国平; 顾志光; 屈新萍; 李炳宗; 朱剑豪;
复旦大学电子工程系;
香港城市大学应用物理及材料科学系;
VLSI; ULSI; IC; 制造工艺; 金属薄膜; 二氧化钴;
机译:使用硅覆盖层通过反应化学气相沉积法在n-Si_(0.83)Ge_(0.17)/ n-Si(001)上生长的外延CoSi_2的结构和电学特性
机译:固相外延形成超薄CoSi_2 / n-Si(100)的肖特基势垒高度分布的BEEM研究
机译:使用TiN和非晶硅中间层改善化学气相沉积CoSi_2 /多晶硅的热稳定性
机译:非等温反应器中由Co / Ti / Si结构形成TiN / CoSi_2双层
机译:W化学气相沉积过程中WF(6)与TiN / Ti势垒的相互作用。
机译:在Si(001)晶片和Cu覆盖层之间通过混合溅射技术生长的增强的Ti0.84Ta0.16N扩散阻挡层无需基板加热即可生长
机译:Al-Si-Ti三元体系的Al-Rich角处的液相/固相平衡
机译:si(亚1(负)y)C(亚y)/ si和si(亚1(负)x(负)y)Ge(亚x)C(亚y)/ si异质结构的稳定性和沉淀动力学固相外延
机译:TI SI_2 / tin coating interconnect technology
机译:通过在强碱性或酸性缓冲液中使生物素化的交联剂与载体材料反应,制备将化学和热稳定性固相基质用于聚合酶链反应和杂交测定的结合
机译:改善PTSI / SI结构的高温稳定性的方法
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