支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法

摘要

本发明提供支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法，作为贴合到由单晶体构成的单晶晶圆上的支承基板(30)包括由碳化硅的多晶体构成的碳化硅多晶基板(10)和蒸镀在碳化硅多晶基板(10)上的覆层(20)，覆层(20)由碳化硅或者硅构成且与单晶晶圆相接触，与单晶晶圆相接触的覆层(20)的接触面(22)的算术平均粗糙度为1nm以下。