半导体器件制备过程中导电层的刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件制备过程中导电层的刻蚀方法，包括如下步骤：形成所述半导体器件的导电层；利用一氧化二氮等离子体对所述导电层表面进行处理；在表面处理后的所述导电层的表面形成光阻层；光刻所述光阻层；以光刻后的所述光阻层为掩膜，湿法刻蚀所述导电层。本发明的半导体器件制备过程中导电层的刻蚀方法，可以改变导电层的表面特性，从而增强光阻层对导电层的粘附性，避免被光阻层覆盖的导电层在湿法刻蚀中遭到破坏。