机译:SiGe合金与接触刻蚀停止层应力集成在一起的纳米级Si P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件的应变工程
机译:SiGe合金与接触刻蚀停止层应力集成在一起的纳米级Si P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件的应变工程
机译:具有高压缩层间介电SiN_x应力层的SiGe p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声特性
机译:集成在14 nm鳍片式p型金属氧化物半导体场效应晶体管中的Si0.30Ge0.70应力源的特性和生长特性
机译:与隧道场效应晶体管(TFET)集成的70-nm碰撞电离金属 - 氧化物半导体(I-MOS)器件
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过结合电荷注入层间P型聚合物的发光场效应晶体管大面积发射
机译:具有薄硅覆盖层的伪非晶Si / SiGe / Si p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的有效迁移率