用于闪存器件的浅沟槽隔离结构形成方法

摘要

一种用于闪存器件的浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有衬垫层、栅多晶硅层和停止层；在所述停止层表面形成抗反射层；依次刻蚀抗反射层、停止层、栅多晶硅层、衬垫层以及半导体衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内填充隔离介质并在所述抗反射层表面形成介质层；平坦化所述介质层和所述抗反射层直至暴露出停止层。本发明提供的浅沟槽隔离结构形成方法形成的闪存器件性能优良。