首页> 中国专利> 纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用

纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用

AI论文写作 >>

AI期刊论文写作 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：摩尔百分比为70-99%的相变材料GeTe和摩尔百分比为1-30%的介质材料HfO

著录项

公开/公告号CN102169958A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
展开▼

申请/专利号CN201110110342.5
发明设计人吕业刚;宋三年;宋志棠;
展开▼

申请日2011-04-29
分类号H01L45/00;C23C14/34;B82Y10/00;B82Y40/00;
代理机构上海光华专利事务所;
代理人李仪萍
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-12-18 03:13:16

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用 [P] . 中国专利： CN102354729A . 2012-02-15
2. 纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用 [P] . 中国专利： CN102169958B . 2013-07-10
3. Phase change material layer and method of manufacturing the same and phase change memory device comprising phase change material layer formed using the same and methods of manufacturing and operating phase change memory device [P] . 韩国专利： KR101177284B1 . 2012-08-24

机译：相变材料层及其制造方法和包括使用相变材料层形成的相变材料层的相变存储器件以及制造和操作相变存储器件的方法
4. PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING A NANO-WIRE NETWORK SINGLE ELEMENT-BASED PHASE CHANGE LAYER IN A POROUS OXIDE LAYER AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, CAPABLE OF SIMULTANEOUSLY FORMING A SINGLE ELEMENT-BASED PHASE CHANGE LAYER AND A NANO-WIRE NETWORK PHASE CHANGE LAYER [P] . 韩国专利： KR20100137627A . 2010-12-31

机译：相变存储装置，包括多孔氧化层中基于纳米线网络的单元素相变层，以及制造该相变存储器的方法，能够同时形成基于单元素的相变层和纳米相层
5. METHODS OF FORMING A PHASE CHANGE MATERIAL LAYER AND METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE FORMED FROM USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR100717286B1 . 2007-05-15

机译：形成相变材料层的方法和使用相变材料形成相变存储器的方法以及由相变存储器形成的相变存储器