PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备

摘要

PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备，本发明涉及新能源中薄膜太阳电池领域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料层厚15-30nm，电导0.15S/cm-10S/cm，带隙在2.0eV以上，晶化率为30％-50％。本发明通过改变碳掺杂比例的优化研究，控制材料的光电性能和结构特性，利用碳原子引入可增大硅薄膜带隙的效应来得到高电导、宽带隙的P型微晶硅碳。本发明的效益是：将这种宽带隙的P型微晶硅碳材料用于PI不透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中并结合优化的p/i缓冲层，可显著增强薄膜电池的内建电场，提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅薄膜太阳电池。