双重深度的浅沟槽隔离制造方法

摘要

本发明提供了一种双重深度的浅沟槽隔离制造方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底以及衬底表面的介质层，所述半导体基底包括第一区域和第二区域；在所述介质层表面形成第一掩膜层，并图形化第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜，刻蚀介质层和衬底，在第一区域以及第二区域内形成第一沟槽；去除第一掩膜层，在第一区域的表面形成第二掩膜层；在第二区域的第一沟槽内继续刻蚀衬底，形成第二沟槽；去除第二掩膜层，在第一沟槽以及第二沟槽内填充绝缘物质，形成双重深度的浅沟槽隔离。本发明在形成浅沟槽隔离时仅需一次对准，精度较高；且第二掩膜层无需形成精确的掩膜图形，降低了生产制造的成本；工艺流程简单易于实现。