公开/公告号CN102005385A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 嘉兴斯达半导体有限公司;
申请/专利号CN201010516143.X
发明设计人 红梅;
申请日2010-10-22
分类号H01L21/329;
代理机构杭州九洲专利事务所有限公司;
代理人翁霁明
地址 314006 浙江省嘉兴市中环南路富润路东三层
入库时间 2023-12-18 01:52:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-11-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/329 申请公布日:20110406 申请日:20101022
发明专利申请公布后的驳回
2012-03-28
著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/329 变更前: 变更后: 申请日:20101022
著录事项变更
2011-05-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20101022
实质审查的生效
2011-04-06
公开
公开
机译: 具有高雪崩能力的高压FRD的结构和制造方法
机译: 耐雪崩性提高的高压快速恢复二极管(HV-FRD)及其制造方法
机译: MHJ-FRD的结构及其制造方法,可减少电荷的积累