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一种高压FRD的截断型深槽结构及高压FRD的制作方法

摘要

一种高压FRD的截断型深槽结构及高压FRD的制作方法,所述高压FRD的截断型深槽结构,它包括一带有PN结的FRD二极管,在其表面淀积有一层氧化层,在其PN结的两端光刻并深槽DRIE刻蚀然后淀积有二氧化硅;所述的深槽深度远大于结深,它的深度至少与击穿时平面结耗尽区宽度相当;所述的深槽内侧生长有至少一层氧化层;所述的制作方法是:第一制作完成FRD二极管的PN结;第二在其表面淀积一层氧化层作为深槽刻蚀的阻挡层,然后光刻并深槽DRIE刻蚀用作终端的深槽;第三为了消除深槽刻蚀的缺陷,在深槽内侧生长一层氧化层,然后淀积二氧化硅把深槽完全填满;第四继续FRD二极管后续的制造工艺;它具有提高了FRD器件的击穿电压,使击穿电压接近平面结的击穿电压,降低了FRD器件的面积,降低了成本等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN102005385A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 嘉兴斯达半导体有限公司;

    申请/专利号CN201010516143.X

  • 发明设计人 红梅;

    申请日2010-10-22

  • 分类号H01L21/329;

  • 代理机构杭州九洲专利事务所有限公司;

  • 代理人翁霁明

  • 地址 314006 浙江省嘉兴市中环南路富润路东三层

  • 入库时间 2023-12-18 01:52:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-11-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/329 申请公布日:20110406 申请日:20101022

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-03-28

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/329 变更前: 变更后: 申请日:20101022

    著录事项变更

  • 2011-05-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20101022

    实质审查的生效

  • 2011-04-06

    公开

    公开

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