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改善高压FRD结终端电流丝化的新结构

         

摘要

动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性.结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优.为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用p+/p阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区.仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解.

著录项

  • 来源
    《电子科技》 |2013年第10期|98-100104|共4页
  • 作者单位

    北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124;

    北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124;

    北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124;

    北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124;

    北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124;

    国网智能院电工新材料及微电子研究所,北京100192;

    北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 PIN二极管;
  • 关键词

    快恢复二极管; 动态雪崩; 电流丝; 终端结构;

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