PIN二极管属于《中国图书分类法》中的六级类目,该分类相关的期刊文献有14篇等,PIN二极管的主要作者有吴郁、金锐、汪仁波,PIN二极管的主要机构有上海大学理学院、中国原子能科学研究院、中国电子科技集团公司第58研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、
1.[期刊]
摘要: 报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下...
2.[期刊]
摘要: 本文在传统并联开关的公共端引入阻抗匹配网络,结合电磁仿真,研制出一种新型的宽带大功率单刀双掷开关。开关的有效带宽从8GHz拓宽到12GHz。通过基于大功率开关...
3.[期刊]
摘要: 对制造的单mesa终端4H-SiC PIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiC PIN二极管正向直流特性的影响.详...
4.[期刊]
摘要: 设计并制作一种基于2.5 Gbit/s应用的分离吸收区和倍增区结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD),该...
5.[期刊]
摘要: 对硅厚膜BESOI介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性作了分析,并用计算机进行了模拟,从器件的几何图形和隔离偏压方面,提出了改善击穿特性的方法.%The ...
6.[期刊]
摘要: 以表面PIN二极管(SPIN)为研究对象,根据半导体内非平衡载流子双极性扩散方程,推导了外加电场条件下,稳态时本征区载流子浓度一维连续性方程,数值求解了大电流...
7.[期刊]
摘要: 对AlGaN基p-i-n光电探测器的负光电响应特性进行研究,从实验上证实了器件中p型接触电极的肖特基特性是导致该现象的主导因素.不同偏压下的响应光谱表明,这些...
8.[期刊]
摘要: 基于改善快恢复二极管的的动态特性,通过对二极管的横、纵向参数来进行分析,理论上提出了快恢复二极管的设计方法,并且结合SILVACO-TCAD仿真软件进行验证;...
9.[期刊]
摘要: 动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性.结果表明...
10.[期刊]
摘要: PN二极管是一种常用的光电探测器,其中PIN光电二极管因其体积小、噪声低、响应速度快、光谱响应性能好等特点已作为一个标准件广泛应用于红外遥控接收领域。文章基于...
11.[期刊]
Analysis of I-V Thermal Characteristic on GaN-based p-i-n Ultraviolet Detector
摘要: The I-V characteristic of GaN-based p-i-n ultraviolet detector is presented. It...
12.[期刊]
摘要: 针对商用高电压大功率多芯片 P-i-N 二极管在钳位型电感负载电路中,在额定电气参数下发生的瞬态失效现象,分别从电路布局和器件机理层面讨论了各因素对二极管芯片...
13.[期刊]
摘要: Since silicon strip detectors have been applied widespread in high energy physi...
14.[期刊]
摘要: 针对高压功率快恢复二极管的过流关断失效问题,设计了3种主结边缘电阻连接区.为了分析其失效机理,采用仿真工具Sentaurus TCAD,对场屏蔽阳极二极管结构...