PLDD掺杂区的形成方法及PMOS器件的制造方法

摘要

一种PLDD掺杂区的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述半导体衬底具有初始温度；对所述栅极周围的衬底区域执行轻掺杂工艺，掺入的杂质为硼；执行所述轻掺杂工艺之后，升高所述半导体衬底温度至第一温度，并保持所述半导体衬底于所述第一温度至少1秒；将所述半导体衬底温度由所述第一温度升高至峰值温度；将所述半导体衬底由峰值温度降温至初始温度；其中，所述第一温度小于或等于550℃。本发明还提供一种PMOS器件的制造方法。