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李康; 郝跃; 刘红侠; 方建平; 薛鸿民;
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
陕西教育学院计算机系;
HCI; 时变栅电流模型; BSIM3v3; 可靠性仿真;
机译:深亚微米双栅极全耗尽SOI PMOS器件:使用准2D方法的简明短沟道效应阈值电压模型
机译:深亚微米n-mosfet器件中非线性电子空穴等离子体的建模和仿真
机译:热载流子引起的超薄,全耗尽,深亚微米nMOS和pMOS SOI晶体管的退化
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:霍尔放大器纳米器件(HAND):太赫兹传感器的建模仿真和可行性分析
机译:未来深亚微米器件发电的多级互连方案的应力建模
机译:深亚微米器件的三维仿真。杂质原子如何影响电导率
机译:用形成亚微米接触的方法制造亚微米NMOS,PMOS和CMOS器件的方法
机译:用于产生和维护用于深亚微米集成电路设计的电建模数据的方法和装置
机译:使用原位聚合物垫片来减小器件通道长度的深亚微米mosfet器件的制造方法
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