具有自对准外延源极和漏极延伸部分的半导体器件

摘要

一种形成具有与晶体管的栅极电介质层非常接近的自对准源极和漏极延伸部分的晶体管的方法包括：在衬底上形成栅极叠置体；将掺杂剂注入到衬底与栅极叠置体相邻的区域中，其中掺杂剂增加衬底的蚀刻速率并限定源极和漏极延伸部分的位置；在栅极叠置体的横向相对侧上形成一对隔离层，所述隔离层位于衬底的掺杂区域的顶部上；蚀刻衬底的掺杂区域以及衬底位于掺杂区域下方的部分，其中所述掺杂区域的蚀刻速率高于衬底位于所述掺杂区域下方的部分的蚀刻速率；以及在衬底的蚀刻部分中沉积基于硅的材料。