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具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法

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摘要

提供一种形成包括多个鳍片场效应晶体管器件的半导体结构的方法，在该方法中采用交叉掩模提供矩形图形，以与化学氧化物去除(COR)工艺一起限定相对薄的鳍片。本发明还包括通过使用选择性含硅材料合并相邻鳍片的步骤。本发明还涉及利用本发明的方法形成得到的半导体结构。

公开/公告号CN100485908C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-05-06

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200610144540.2
发明设计人 E·J·诺瓦克;T·卢德维格;M·艾昂;欧阳齐庆;
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申请日2006-11-10
分类号H01L21/84(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/336(20060101);H01L27/12(20060101);H01L27/088(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人于静;李峥
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:02:15

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-01-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/84 授权公告日:20090506 终止日期:20111110 申请日:20061110

专利权的终止
2009-05-06

授权

授权
2007-07-18

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-05-23

公开

公开

1. 具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法 [P] . 中国专利： CN100485908C . 2009.05.06
2. 鳍式半导体器件的自对准栅极和/或源极/漏极接触结构及其形成方法 [P] . 中国专利： CN107431086B . 2020.06.12
3. Semiconductor devices FinFET devices with optimized strained-sourece-drain recess profiles and methods of forming the same [P] . 美国专利： US10141443B2 . 2018-11-27

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4. Methods for forming FinFETs with self-aligned source/drain [P] . 美国专利： US8927377B2 . 2015-01-06

机译：具有自对准源极/漏极的FinFET的形成方法
5. METHODS FOR FORMING FinFETS WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN [P] . 韩国专利： KR20140085275A . 2014-07-07

机译：具有自对准源极/漏极的FinFET的形成方法