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确定衬底中的缺陷的方法和光刻工艺中曝光衬底的设备

摘要

本发明公开一种确定衬底中的缺陷的方法和在光刻工艺中曝光衬底的设备。该方法包括:用传感器扫描衬底的扫描范围,该传感器将辐射束投影到衬底上;沿扫描范围测量从不同的衬底区域反射的辐射的强度的一部份;确定经过所扫描范围的被测量部份的变化量;由该变化量确定在衬底中是否存在任何缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN101592872A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN200910142608.7

  • 发明设计人 尼雷·萨哈;赫敏·福肯·彭;

    申请日2009-05-31

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王新华

  • 地址 荷兰维德霍温

  • 入库时间 2023-12-17 23:10:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F7/20 申请公布日:20091202 申请日:20090531

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-01-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-12-02

    公开

    公开

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