机译:极紫外光刻(EUVL)的氧化Si和Ru封盖模型的图案可印刷性的理论研究
机译:用于观察极紫外光刻掩模以预测相缺陷可印刷性的高倍成像光学元件特性的模拟分析
机译:宽带紫外线照射下光化检查表征极端紫外线光刻掩模缺陷
机译:极端紫外光刻(EUVL)中纳米级衬底缺陷的纳米尺度衬底缺陷的比较
机译:极紫外光刻(EUVL)掩模载体系统的建模,检测和保护方案。
机译:SU-8厚光刻胶紫外光刻工艺的综合模拟
机译:用于极端紫外线光刻(EUVL)微场曝光工具(METS)的投影光学器件,数值孔径为0.5
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。