一种制备MEMS器件的牺牲层工艺方法

摘要

一种制备MEMS器件的牺牲层工艺方法，属于微机械加工技术领域，涉及MEMS器件和集成电路工艺，尤其涉及制备MEMS器件的牺牲层工艺。本发明首先采用相同的牺牲层沉积工艺条件，在衬底(1)的正反两面沉积相同厚度和材质的第一牺牲层(2)和第二牺牲层(3)；然后待牺牲层固化后在第一牺牲层(2)的表面制备MEMS器件的结构层(4)；最后在完成MEMS器件的结构层(4)的制备后，在相同的腐蚀工艺下去除第一牺牲层(2)和第二牺牲层(3)。本发明通过在衬底的正反两面双向生长牺牲层材料和同时腐蚀去除牺牲层，能最大限度的抵消牺牲层自身生长、固化过程中引起的应力和形变，因而能够保证MEMS器件的衬底平整和结构层平整，从而有利于提高MEMS器件的性能和稳定性。