直接在芯片上铜互连结构的钽合金层上沉积铜的方法

摘要

本发明提供一种直接在芯片上铜互连结构的钽合金层上沉积铜的方法，其包括由中性或碱性电解质电沉积铜到钽合金层的表面上，其中所述钽合金层沉积在所述芯片上铜互连结构的衬底上，且其中在没有使用籽层的情况下铜成核到所述钽合金层的表面上以形成铜导体。