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IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference
IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference
召开年:
2017
召开地:
Toyama(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Comparative study on RTN amplitude in planar and FinFET devices
机译:
平面和FinFET器件中RTN幅度的比较研究
作者:
Zexuan Zhang
;
Zhe Zhang
;
Shaofeng Guo
;
Runsheng Wang
;
Xingsheng Wang
;
Binjie Cheng
;
Asen Asenov
;
Ru Huang
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Charge carrier density;
Solid modeling;
Two dimensional displays;
Potential well;
Three-dimensional displays;
Current density;
2.
Defect formation in SiO2 formed by thermal oxidation of SiC
机译:
SiC热氧化形成的SiO2中的缺陷形成
作者:
Kenta Chokawa
;
Masaaki Araidai
;
Kenji Shiraishi
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Silicon carbide;
Oxidation;
MOSFET;
Silicon;
Threshold voltage;
Temperature;
3.
Oxidation mechanism and surface passivation of Germanium by ozone
机译:
臭氧对锗的氧化机理和表面钝化
作者:
Xiaolei Wang
;
Jinjuan Xiang
;
Chao Zhao
;
Tianchun Ye
;
Wenwu Wang
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Oxidation;
Gases;
Passivation;
Atomic layer deposition;
Three-dimensional displays;
Microelectronics;
4.
Ohmic contact formation between Ge2Sb2Te5 phase change material and vertically aligned carbon nanotubes
机译:
Ge2Sb2Te5相变材料和垂直排列的碳纳米管之间的欧姆接触形成
作者:
Panni Wang
;
Suwen Li
;
Yihan Chen
;
Lining Zhang
;
Mansun Chan
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Electrodes;
Silicides;
Ohmic contacts;
Carbon nanotubes;
Surface treatment;
Phase change materials;
Filling;
5.
The impact of oxygen insertion technology on SRAM yield performance
机译:
氧气插入技术对SRAM成品率的影响
作者:
A. Marshall
;
S. Nimmalapudi
;
W. K. Loh
;
J. Krick
;
L. Hutter
;
H. Takeuchi
;
R. Stephenson
;
R. J. Mears
;
S. Ikeda
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Performance evaluation;
Standards;
Maintenance engineering;
6.
Punch-through stop doping profile control via interstitial trapping by oxygen-insertion silicon channel
机译:
通过氧插入硅通道的间隙俘获实现穿通停止掺杂轮廓控制
作者:
Robert J. Mears
;
Hideki Takeuchi
;
Robert J. Stephenson
;
Marek Hytha
;
Richard Burton
;
Nyles W. Cody
;
Doran Weeks
;
Dmitri Choutov
;
Nidhi Agrawal
;
Suman Datta
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Boron;
FinFETs;
Logic gates;
Annealing;
Phosphorus;
Oxidation;
7.
Local, isotropic, and damageless doping to oxide semiconductors by using electrochemistry
机译:
通过电化学对氧化物半导体进行局部,各向同性和无损掺杂
作者:
Takeaki Yajima
;
Tomonori Nishimura
;
Akira Toriumi
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Doping;
Films;
Electrodes;
Resistance;
Electric potential;
Conductivity;
8.
Degradation caused by Negative Bias temperature instability depending on Body Bias on NMOS or PMOS in 65 nm bulk and thin-BOX FDSOI processes
机译:
负偏置温度不稳定性所导致的性能下降取决于65 nm体和薄盒FDSOI工艺中NMOS或PMOS上的体偏置
作者:
Ryo Kishida
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Degradation;
Silicon-on-insulator;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Logic gates;
Aging;
9.
Growing market of MEMS and technology development in process and tools specialized to MEMS
机译:
不断增长的MEMS市场以及专用于MEMS的工艺和工具的技术开发
作者:
Hiroshi Yanazawa
;
Kohji Homma
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Micromechanical devices;
Etching;
Silicon;
Plasmas;
Hafnium;
Wiring;
10.
Micro structuring polydimethylsiloxane elastomer film with 3D printed mold for low cost and high sensitivity flexible capacitive pressure sensor
机译:
具有3D打印模具的微结构化聚二甲基硅氧烷弹性体薄膜,用于低成本和高灵敏度的柔性电容式压力传感器
作者:
Bengang Zhuo
;
Sujie Chen
;
Xiaojun Guo
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Sensitivity;
Pressure sensors;
Three-dimensional displays;
Reliability;
Real-time systems;
Monitoring;
Wrist;
11.
Crystallinity improvement using migration-enhancement methods for sputtered-MoS2 films
机译:
使用迁移增强方法改善溅射MoS2薄膜的结晶度
作者:
Shin Hirano
;
Junichi Shimizu
;
Kentaro Matsuura
;
Takumi Ohashi
;
Iriya Muneta
;
Kuniyuki Kakushima
;
Kazuo Tsutsui
;
Hitoshi Wakabayashi
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Films;
Substrates;
Radio frequency;
Sputtering;
Raman scattering;
12.
Photoresist development for wafer-level packaging process
机译:
用于晶圆级封装工艺的光刻胶开发
作者:
Makiko Irie
;
Toshiaki Tachi
;
Atushi Sawano
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Resists;
Wafer scale integration;
Topology;
Sensitivity;
Substrates;
Lithography;
13.
Electroluminescence characteristics of rare earth doped silicon based light emitting device
机译:
稀土掺杂硅基发光器件的电致发光特性
作者:
Fumihiro Hattori
;
Hideyuki Iwata
;
Toshihiro Matsuda
;
Takashi Ohzone
会议名称:
《IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Ions;
MOS devices;
Substrates;
Current measurement;
Liquids;
Indium tin oxide;
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