公开/公告号CN101231956A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200710062981.2
发明设计人 王立新;
申请日2007-01-24
分类号H01L21/336;H01L21/84;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-17 20:32:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-12-30
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-09-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-07-30
公开
公开
机译: 制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译: 完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)组合器件
机译: 横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件,其具有用于耗尽一部分漂移区的横向耗尽装置