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第3－5族氮化物半导体多层衬底，用于制备第3－5族氮化物半导体自立衬底的方法和半导体元件

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本发明提供一种第3－5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3－5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3－5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3－5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。

著录项

公开/公告号CN101180710A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-05-14

原文格式PDF
申请/专利权人住友化学株式会社;国立大学法人三重大学;
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申请/专利号CN200680017368.2
发明设计人平松和政;三宅秀人;土田良彦;小野善伸;西川直宏;
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申请日2006-05-02
分类号H01L21/205;H01L33/00;C30B29/38;H01S5/323;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汪惠民
地址日本国东京都
入库时间 2023-12-17 20:11:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/205 授权公告日:20091007 终止日期:20140502 申请日:20060502

专利权的终止
2009-10-07

授权

授权
2008-07-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-05-14

公开

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