Institute for Materials Research, Tohoku. University, Sendai 980-8577, Japan;
Ⅲ-Ⅴ nitrides; diluted magnetic semiconductor; room temperature ferromagnetism;
机译:稀磁性氮化物半导体中的铁磁性和旋节线分解
机译:掺杂的薄膜氧化物和氮化物半导体及电介质中的铁磁性
机译:自旋电子学应用铁磁性氮化物半导体的最新进展
机译:制作III-V氮化物半导体的铁磁半导体
机译:磁性,半导体和自旋:混合铁磁半导体和半导体自旋电子系统。
机译:铁磁半导体和稀磁半导体中的载流子状态-相干势法
机译:基于半导体中杂质的共振特性的镓锰氮化物中高T_C铁磁的可能模型
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。