具有多层掺杂层的电荷陷阱存储单元和利用该存储单元的存储阵列及其操作方法

摘要

本发明涉及一种在有源区域具有多层掺杂层的电荷陷阱闪存单元和利用该闪存单元的存储阵列及其操作方法。本发明的电荷陷阱存储单元和已知技术相比所具备的特征是其有源区域内适当形成多层掺杂层。并且，和源区及漏区形成PN结的部分，将通过所述多层掺杂层诱导电子进行带间穿隧，并于预定的负偏置电压条件下，加速所述隧穿电子，从而产生雪崩现象。由此，本发明的存储阵列通过把所述雪崩现象中所生成的正孔注入到每个存储单元的多层介电层的方式进行程序化操作；而进行擦除操作时，则采取通过FN隧穿方式把通道中的电子注入到每个单元的多层介电层中的方式。