A Novel Trapping-Nitride-Storage Non-Volatile Memory Cell Using a Gated-Diode Structure With an Ultra-Thin Dielectric Dopant Diffusion Barrier

Tsai W.-J.; Ou T.-F.; Kao H.-L.; Lai E.-K.; Huang J.-S.; Chong L.-H.; Liao Y.-Y.; Hong S.-P.; Wu M. T.; Tsai S. C.; Leng C.-H.; Hsu F.-H.; Wang S.-Y.; Cheng C.-M.; Luoh T.; Hung Y. T.; Luo S. A.; Huang C. H.; Lu T.-C.; Yang T.; Chen K.-C.; Lu C.-Y.

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A Novel Trapping-Nitride-Storage Non-Volatile Memory Cell Using a Gated-Diode Structure With an Ultra-Thin Dielectric Dopant Diffusion Barrier

机译：使用具有超薄介电掺杂物扩散阻挡层的门控二极管结构的新型陷阱-氮化物存储非易失性存储单元

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A novel trapping-nitride-storage nonvolatile memory cell by using a gated-diode structure is proposed. An ultrathin nitride layer is introduced between the n-type and p-type regions of the diode. This layer acts as a dopant diffusion barrier that well def

机译：提出了一种利用栅二极管结构的新型俘获氮化物存储非易失性存储单元。在二极管的n型和p型区域之间引入了超薄氮化物层。该层充当了良好定义的掺杂剂扩散势垒

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来源
《IEEE Transactions on Electron Devices》 |2008年第8期|p.2202-2211|共10页
作者
Tsai W.-J.; Ou T.-F.; Kao H.-L.; Lai E.-K.; Huang J.-S.; Chong L.-H.; Liao Y.-Y.; Hong S.-P.; Wu M. T.; Tsai S. C.; Leng C.-H.; Hsu F.-H.; Wang S.-Y.; Cheng C.-M.; Luoh T.; Hung Y. T.; Luo S. A.; Huang C. H.; Lu T.-C.; Yang T.; Chen K.-C.; Lu C.-Y.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
Band-edge offset; band-to-band tunneling (BTBT); bandgap engineering; direct tunneling (DT); dopant diffusion barrier; gated diode; heterojunction; nonvolatile memory (NVM); trapped-charge storage;

机译：带边缘偏移;带间隧道（BTBT）;带隙工程;直接隧道（DT）;掺杂扩散势垒;门控二极管;异质结;非易失性存储器（NVM）;陷电荷存储;

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