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机译:具有薄AlGaN势垒的常关GaN MOS异质结构场效应晶体管中的非易失性存储操作
Hongik University, Republic of Korea;
机译:由超纯GaN / AlGaN异质结构构成的横向场效应晶体管的常关操作
机译:具有结型场板的高Baliga质量因数常关型P-GaN栅极AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的仿真设计
机译:栅极结构常压AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管与P-GaN帽层
机译:我们在Si底物上报告了常常数-FaN基的异质结场效应晶体管(HFET)。使用金属化学气相沉积(MOCVD)生长AlGaN / AIN / GaN异质结构。用于常关操作的HFET W.
机译:常压高电子迁移率晶体管的设计,仿真和制造,具有温度稳定性研究
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:具有薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al2O3绝缘栅结构
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管