机译:关于非易失性存储器应用的金属铁电高k电介质结构的结构和电性能
Indian Inst Informat Technol Dept Elect &
Commun Allahabad 211012 Uttar Pradesh India;
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Ferroelectric; high-k dielectric; memory window; PEALD; XRD;
机译:关于非易失性存储器应用的金属铁电高k电介质结构的结构和电性能
机译:用于非易失性存储应用的金属??铁电??高k介电??硅结构的结构和电性能
机译:用于非易失性存储器应用的AI / BIFEO_3 / ZRO_2 / N-SI结构的结构和电性能
机译:具有嵌入式Si纳米晶体的非易失性存储器结构的电气和存储器特性
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:原子层沉积的Al2O3 / HfO2 / Al2O3三层结构在非易失性存储应用中具有出色的电阻切换特性
机译:原子层沉积的AlO / HfO / AlO三层结构具有出色的电阻切换特性,适用于非易失性存储应用
机译:用于射频和微波应用的分层介电和磁性复合材料及共混物结构的电学和结构特性研究