机译:存储器的半导体结构,由第一导电类型的基质,第二导电类型的第一掺杂区域,第二掺杂区域,栅极介电,第一栅极导体,电场效应晶体管和导电电阻组成
公开/公告号KR20040038864A
专利类型
公开/公告日2004-05-08
原文格式PDF
申请/专利权人 MICREL INC.;
申请/专利号KR20030076625
发明设计人 MOORE PAUL M.;
申请日2003-10-31
分类号H01L27/115;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:49:09