检查方法、解析片的制作方法、解析方法、解析装置、SOI晶片的制造方法以及SOI晶片

摘要

一种检查方法，用于测定在受检体(2)上形成的具有绝缘性的基材(11)内部存在的导电体来检查受检体(2)的内部状态，首先用离子或者电子照射基材(11)的检查部分的表面，通过从表面(11a)以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影的同时，腐蚀所述检查部分，并通过从仅在腐蚀的深度下部顺序更新的表面(11b)以及表面附近射出的二次电子进行表面图像的摄影，根据积累的表面图像，测定基材(11)内部存在的导电体来检查受检体(2)的内部状态，提供一种能够正确测定SOI晶片(受检体)内的嵌入硅氧化膜(基材)的内部存在的缺陷(导电体)的检查方法。